从Wolfspeed视点看SiC功率器材牢靠性

更新时间：2024-11-22  作者: 应力检测

  从Wolfspeed视点看SiC MOSFET功率器材牢靠性以满意特定运用要求

  – 假如 MOSFET 开始时没有一点 BPD，则堆垛层错不会成核和成长，也不可能会产生双极退化

  – 走运的是，大多数或一切毛病都产生在 ~100 小时 BDOL 压力内

  • TDDB 测验与温度和电压的联络，用于构建由 Joe McPherson（德州仪器牢靠性研究员）发布的猜测寿数模型：热化学模型 - 与Si MOSFET 运用的模型相同！

  - 在相同的电场下，平面MOSFET上的碳化硅栅极氧化物牢靠性与Si MOSFET适当

  • 关于 Wolfspeed MOSFET，物理毛病剖析标明，毛病是有源区的栅极氧化物击穿，在氧化物电场最高的 JFET 空隙中

  • SiC 的 THB 加快因子没有确认，但它们可能与 Si 器材的加快因子类似，由于金属和电介质类似：

  • SiC 功率器材与 Si 功率器材比较，还有一些共同的牢靠性考虑要素

  • 成功的产品认证和现场牢靠性标明牢靠性科学正在取得成效，而且 SiC 已准备好用于高牢靠性运用的大批量制作——未来便是现在！

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